1.产品特点:
凭借高于95%的极高量子效率,及其高达155×162毫米的极大有效面积,PILATUS4 R CdTe探测器可对基于从铜(Cu)到铟(In)的任何X射线源的快速数据收集。特别是对于钼(Mo),银(Ag)和铟(In)辐射,PILATUS4 R CdTe的性能优于任何配有硅传感器的HPC探测器—甚至包括目前拥有最厚的硅传感器的PILATUS3。
PILATUS4凭借出色的计数率和探测器背景噪音的特点,实现了跨越十个数量级的广泛动态范围,高达200Hz的内部帧速,进一步优化了计数率校准,从而确保高强度测量的高度准确性。此外,PILATUS4还具备四个能量区分阈值,为劳厄衍射和光谱成像等应用带来了新的可能。
2.核心优势:
巨大且有效:有效成像面积高达155x162mm,量子效率超过95%。
最大限度的高动态范围:通过零探测器背景噪音,卓越的计数率以及同步读写技术,实现最大限度的高动态范围。
多功能性 覆盖了从铜(Cu)到铟(In)高量子效率,四个能量区分阈值适用于多光应用。
3.应用领域:
单晶衍射
小角X射线散射
光谱成像
劳厄衍射
4.技术参数:
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PILATUS4 R CdTe |
260K |
260K-W |
1M |
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有效面积W×H [mm²] |
77.0× 79.5 |
155.0 x 38.3 |
155.0 x 162.0 |
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像素阵列 W×H |
513 × 530 |
1033 x 255 |
1033× 1080 |
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像素大小 [μm²] |
150 x 150 |
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能量范围 [keV] |
8 - 25 (8 - 100)【1】 |
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能量阈值数量 |
4 |
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阈值范围 [keV] |
4 - 30 (4- 80)【1】 |
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计数率 (最大)@22keV[ph/s] |
5.0 x 106 |
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单位面积计数率 (最大@22Kev)[phts/s/mm²] |
2.2 x 108 |
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帧频 【1】最大[Hz] |
100 |
100 |
10 |
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读出时间 【2】 |
连续 |
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传感器材料 |
碲化镉 |
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传感器厚度[μm] |
1000 |
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点扩散函数(FWHM)[pixels] |
1 |
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冷却方式 |
水冷 |
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尺寸(WHD)[mm³] |
114 x 133 x 242 |
192 x 92 x 277 |
235 x 237 x 372 |
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重量 [kg] |
4.7 |
5.8 |
15 |
【1】可选择校准来扩展能量范围
【2】两次曝光之间的有效死时间<100ns(最大损失1count/pixel)