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高纯锗HPGe晶体
品牌:泰坤
产地:法国
型号:定制
产品详情


       1、晶体习性与几何描述:

    该晶体使用直拉法在晶体(100)方向延伸。圆柱形表面(表面光洁度小于2.5 μm RMS)。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时,其当量直径为:

    1.png                   


   D ----外形尺寸当量直径

   W----锗晶体重量

   L-----晶体长度

   测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货,我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求,提供定制服务。


       2、纯度:残留载荷

     最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关,请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。

         同轴探测器:同轴探测器适用于下列公式:

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          Nmax = 每立方厘米最大杂质含量

         VD = 耗尽层电压 = 5000 V

               εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm

               εr = 相对介电常数(Ge) = 16

          q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)

          r1 = 探测器内孔半径

            r2 = 探测器外孔半径


       3、纯度               

          假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀,内径8毫米的内孔半径, 适用公式变为:            

         

      3.png

      

         D = 晶体外表面            


          平面探测器:平面探测器(厚度小于2厘米)适用于以下公式:

 

        4.png

           d=探测器外观尺寸厚度

           径向分散载荷子(绝对值)

           迁移:霍尔迁移

       性能: P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 

          N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s

       能级: P 型晶体  通过深能瞬态测量,Cutot ≤ 4.5*109 cm-3

       N 型晶体  通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*108 cm-3

 

            晶体主要指标:                                P 型晶体               N 型晶体     

                                           错位密度             ≤ 10000               ≤ 5000        

                                           星型结构             ≤ 3                       ≤ 3              

                                           镶嵌结构              ≤ 5                       ≤ 5              


       4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明  

高纯锗晶体


产地

法国

物理性质

颜色

银灰色

属性

半导体材料

密度

5.32g/cm3

熔点

937.2

沸点

2830 

技术指标

材料均匀度

特级

光洁度

特优

纯度

99.99999%-99.99999999999%7N-13N)

制备方式

锗单晶是以区熔锗锭原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制备的锗单晶体。

产品规格

PN型按客户要求定制

产品用途

超高纯度,红外器件、γ辐射探测器

P型N型高纯锗

在高纯金属锗中掺入三价元素如等,得到p型锗;

在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等,得到n型锗。

交货期

90

 

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